JPTには、さまざまな種類の半導体レーザコンポーネントと高出力レーザモジュールがあります。
半導体レーザは、ポンプ光源、工業処理、メカニカル ビジョン、医療、その他多くの分野で広く使用できます。 成熟した結合技術ソリューション、熱制御およびパッケージングプロセスに基づいて、製品には高出力、高ビーム品質、高安定性などの利点があり、製品の波長は400nm?1000nmをカバーし、出力、 明るさ、波長制御、スポットの均一性などの特別な要件を満たします。
仕様 | 単位 | min | Typical | max | |
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光学的パラメーター | 出力 | W | 500 | ||
中心波長 | nm | 973 | 976 | 979 | |
スペクトル幅(FWHM) | nm | 6 | |||
NA内で95%のパワー< | NA | 0.165 | |||
後方反射遮断範囲 | nm | 1040 | 1060 | 1200 | |
電気的パラメーター | 変換効率 | % | 45 | ||
しきい値電流 | A | 1.45 | |||
動作電流 | A | 28 | 30 | ||
動作電圧 | V | 36 | |||
ファイバーパラメーター | コア径 | um | 200 | ||
ファイバークラッド径 | um | 220 | |||
開口数(NA) | NA | 0.22 | |||
ファイバー長 | m | 1.5 | |||
ファイバー曲げ半径 | mm | 60 | |||
熱パラメーター | パッケージの動作温度 | ℃ | 15 | 40 | |
保管温度 | ℃ | -20 | 85 | ||
波長温度係数 | nm/℃ | 0.3 | |||
リードはんだ付け温度 | ℃ | 260 | |||
リードはんだ付け時間 | sec | 10 |
※仕様は予告なく変更されることがあります。最新の仕様については、お問合せ下さい。