JPTには、さまざまな種類の半導体レーザコンポーネントと高出力レーザモジュールがあります。
半導体レーザは、ポンプ光源、工業処理、メカニカル ビジョン、医療、その他多くの分野で広く使用できます。 成熟した結合技術ソリューション、熱制御およびパッケージングプロセスに基づいて、製品には高出力、高ビーム品質、高安定性などの利点があり、製品の波長は400nm-1000nmをカバーし、出力、 明るさ、波長制御、スポットの均一性などの特別な要件を満たします。
仕様 | 単位 | min | Typical | max | |
---|---|---|---|---|---|
光学的パラメーター | 出力 | W | 65 | ||
中心波長 | nm | 877.6 | 878.6 | 879.6 | |
スペクトル幅(FWHM) | nm | 0.5 | |||
後方反射遮断範囲 | nm | 1040 | 1060 | 1200 | |
電気的パラメーター | 変換効率 | % | 45 | ||
しきい値電流 | A | 1.8 | |||
動作電流 | A | 9.5 | 10 | ||
動作電圧 | V | 16 | |||
スロープ効率 | W/A | 5.6 | |||
ファイバーパラメーター | コア径 | um | 400 | ||
開口数(NA) | NA | 0.22 | |||
ファイバー長 | m | 1.5 | |||
ファイバーコネクター | SMA905 | ||||
ファイバー曲げ半径 | mm | 80 | |||
熱パラメーター | パッケージの動作温度 | ℃ | 20 | 35 | |
保管温度 | ℃ | -20 | 85 | ||
波長温度係数 | nm/℃ | 0.3 | |||
リードはんだ付け温度 | ℃ | 260 | |||
リードはんだ付け時間 | sec | 10 |
※仕様は予告なく変更されることがあります。最新の仕様については、お問合せ下さい。