LDレーザ

808nm - 60W - 200μm

　JPTには、さまざまな種類の半導体レーザコンポーネントと高出力レーザモジュールがあります。
　半導体レーザは、ポンプ光源、工業処理、メカニカル ビジョン、医療、その他多くの分野で広く使用できます。 成熟した結合技術ソリューション、熱制御およびパッケージングプロセスに基づいて、製品には高出力、高ビーム品質、高安定性などの利点があり、製品の波長は400nm-1000nmをカバーし、出力、 明るさ、波長制御、スポットの均一性などの特別な要件を満たします。

主な特徴
  • 複数の単一エミッタ ベースのダイオード レーザ
  • 高い信頼性
  • 1040-1200nm フィードバック保護
アプリケーション
  • ファイバーレーザ励起
  • 材料加工
  • 医療用途

パラメーター

仕様  単位 min Typical max
光学的パラメーター  出力 W 60  
中心波長 nm 805 808 811
スペクトル幅（FWHM) nm   4  
後方反射遮断範囲 nm 1040 1060 1200
電気的パラメーター   変換効率 %   45
しきい値電流 A   1.8
動作電流 A   9.5 10
動作電圧 V   14 14.5
スロープ効率 W/A   5.3  
ファイバーパラメーター コア径 um   200  
開口数（NA) NA   0.22  
ファイバー長 m   2.0  
ファイバーコネクター SMA905  
ファイバー曲げ半径 mm 80    
熱パラメーター パッケージの動作温度 ℃ 20   35
保管温度 ℃ -20   85
波長温度係数 nm/℃   0.3  
リードはんだ付け温度 ℃   260  
リードはんだ付け時間 sec   10  

※仕様は予告なく変更されることがあります。最新の仕様については、お問合せ下さい。